添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯(lián)二極管，可以...添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯(lián)二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當(dāng)漏極電壓為負(fù)值時，這個二極管會導(dǎo)通，從而將漏極電壓...
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，...電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力；極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電...
歐姆定律：R=U/I 電阻（R）等于電壓（U）除以電流（I），這是電工學(xué)的基石。 ...歐姆定律：R=U/I 電阻（R）等于電壓（U）除以電流（I），這是電工學(xué)的基石。 電功率公式 電流在單位時間內(nèi)做的功叫做電功率。是用來表示消耗電能的快慢的物理量...
尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現(xiàn)代電子設(shè)備的...尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨勢。 引腳數(shù)量和排列：SOP封裝可以容納更多的引腳，并且引腳排列更緊湊，...
KNB2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0m...KNB2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)...
