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MOSFET管柵極檢測方法-MOS管柵極電路作用與驅(qū)動電路解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-11 

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MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP

MOSFET柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。


場效應管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。


MOSFET柵極電路常見的作用有以下幾點。

1:去除電路耦合進去的噪音,提高系統(tǒng)的可靠性。


2:加速MOSFET的導通,降低導通損耗。


3:加速MOSFET的關(guān)斷,降低關(guān)斷損耗。


4:降低MOSFET DI/DT,保護MOSFET同時抑制EMI干擾。


5:保護柵極,防止異常高壓條件下柵極擊穿。


6:增加驅(qū)動能力,在較小的信號下,可以驅(qū)動MOSFET。


(一)直接驅(qū)動

首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度,增加走線寬度,盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置,從而達到減少寄生電感,消除噪音的目的.


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


(二)IC內(nèi)部驅(qū)動能力不足時

當然,對于IC內(nèi)部驅(qū)動能力不足的問題我們也可以采用下面的方法來解決。


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這種增加驅(qū)動能力的方式不僅增加了導通時間,還可以加速關(guān)斷時間,同時對控制毛刺及功率損耗由一定的效果。當然這個我們在LAYOUT時要盡量將這兩個管子放的離MOSFET柵極較近的位置。這樣做的好處還有減少了寄生電感,提高了電路的抗干擾性。


(三)增加MOSFET的關(guān)斷速度

如果我們單單要增加MOSFET的關(guān)斷速度,那么我們可以采用下面的方式來進行。


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


關(guān)斷電流比較大時,能使MOSFET輸入電容放電速度更快,從而降低關(guān)斷損耗。大的放電電流可以通過選擇低輸出阻抗的MOSFET或N溝道的負的截止的電壓器件來實現(xiàn),最常用的就是加加速二極管。

MOSFET柵極關(guān)斷時,電流在電阻上產(chǎn)生的壓降大于二極管導通壓降時,這時二極管會導通,從而將電阻進行旁路,導通后,隨著電流的減小,二極管在電路中的作用越來越小,該電路作用會顯著的減小MOSFET關(guān)斷的延遲時間。


(四)PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


PNP加速關(guān)斷電路是目前應用最多的電路,在加速三級管的作用下可以實現(xiàn)瞬間的柵源短路,從而達到最短的放電時間,之所以加二極管一方面是保護三級管基極,另一方面是為導通電流提供回路及偏置,該電路的優(yōu)點為可以近似達到推拉的效果加速效果明顯,缺點為柵極由于經(jīng)過兩個PN節(jié),不能是柵極真正的達到0伏。


(五)當源極輸出為高電壓時的驅(qū)動

當源極輸出為高電壓的情況時,我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的,既我們以源極為參考點,搭建偏置電路,驅(qū)動電壓在兩個電壓之間波動,驅(qū)動電壓偏差由低電壓提供,如下圖所示。


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


(六)滿足隔離要求的驅(qū)動

為了滿足安全隔離的要求或者提供高端浮動柵極驅(qū)動經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動。這種驅(qū)動將驅(qū)動控制和MOSFET進行了隔離,可以應用到低壓及高壓電路中去,如下圖所示


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


變壓器驅(qū)動說白了就是隔離驅(qū)動,當然現(xiàn)在也有專門的驅(qū)動IC可以解決,但變壓器驅(qū)動有自己的特點使得很多人一直在堅持用。


圖中耦合電容的作用是為磁化的磁芯提供復位電壓,如果沒有這個電容,會出現(xiàn)磁飽和。


與電容串聯(lián)的電阻的作用是為了防止占空比突然變化形成LC的震蕩,因此加這個電阻進行緩解。


(七)自舉逆變圖

下面是一個實際的自舉逆變圖,供參考。


MOSFET柵極,驅(qū)動電路,PNP


MOSFET管柵極檢測方法

1.準備工作測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導線。


2.判定電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據(jù)此很容易確定S極。


電子管柵極的檢測:

1.以額定電壓點亮燈絲并預熱數(shù)十秒。


2.萬用表置于Rx100檔,以黑表筆接觸柵極,紅表筆接觸陰極。如果出現(xiàn)一個穩(wěn)定的示數(shù),則證明電子管基本是正常的。相同條件下同新管測得的數(shù)值進行比較可以大致得出管子的老化程度。



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