MOS管KIA50N06替代NCE6050規(guī)格書資料 產(chǎn)品優(yōu)質(zhì) 全新原裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-15
MOS管KIA50N06替代NCE6050，文中將會具體的描述KIA50N06和NCE6050兩個產(chǎn)品參數(shù)、封裝、附加規(guī)格書等。KIA50n06是三端器件與約50A電流傳導能力，快速開關(guān)速度。低通態(tài)電阻，60V額定擊穿電壓，最大閾值4伏電壓。它主要適用于電子鎮(zhèn)流器和低功率開關(guān)。
RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。
超低柵極電荷（典型的30nc）
低反向轉(zhuǎn)移電容
快速切換的能力
100%雪崩能量
改進的dt／dt能力
漏極至源極電壓：60
柵源電壓：±20
漏極電流 （連續(xù)）：50
單脈沖雪崩能量：480
耗散功率：130
工作溫度：-55~+150
輸入電容：VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz
擊穿電壓溫度：0.7
上升時間：VDD=30V，ID=25A，RG=50Ω(note4,5)
查看規(guī)格書請點擊下圖。
漏源電壓：60V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):50A
脈沖漏電流:220A
最大功耗:80W
輸入電容：900PF
輸出電容：104PF
封裝：TO-252、TO-251、TO-220
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