KIA6N70H規(guī)格書 MOS管原廠供應 免費送樣 5.8A/700V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-19
這種功率MOSFET是KIA半導體使用先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)的，這個先進的技術是KIA特別定制，以減少對狀態(tài)的抵抗，提供優(yōu)越的開關性能好，能承受雪崩和切換模式下的高能量脈沖。該裝置非常適合于高效率開關電源、有源功率因數(shù)校正，基于半橋拓撲。
RDS(on)typ =1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高了dv/dt能力
型號：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重復雪崩能量:9.5MJ
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
漏源擊穿電壓:700V
輸入電容：650pF
輸出電容：95pF
反向轉(zhuǎn)移電容：10pF
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