開關MOS寄生二極管的多種妙用詳細解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-07-07
當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS管。（起到保護MOS管的作用）
溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示，在N-epi外延層上擴散形成P基區(qū)，然后通過刻蝕技術形成深度超過P基區(qū)的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對準工藝形成N+源區(qū)，背面的N+substrate為漏區(qū)，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側的P基區(qū)反型，形成垂直溝道。
由下圖中的結構可以看到，P基區(qū)和N-epi形成了一個PN結，即MOSFET的寄生體二極管。
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明（ZVS）
1、MOSFET體二極管反向恢復
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換
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