mos管作用是什么？ 功率原理是什么？
信息來源：本站 日期：2017-06-05
1 概述
MOSFET的中文稱號是金屬氧化物半導體場效應晶體管，也叫絕緣柵場效應晶體管，縮寫為MOSFET，簡稱MOS管。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。它不只繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108?）、驅動電流?。?.1μA左右）的優(yōu)點，還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高、跨導線性好、開關速度快等優(yōu)秀特性。正是由于它將電子管與功率晶體管的優(yōu)點集于一身，因此在開關電源、逆變器、電壓放大器、功率放大器等電路中獲得普遍應用。
2 分類
MOS管是一種單極性載流子參與導電的半導體器件。根據(jù)導電溝道的載流子可以劃分為N溝道和P溝道。假定導電溝道的載流子是電子，則稱為N溝道；假定載流子是空穴，則稱為P溝道。MOS管的導電溝道，可以在制造過程中構成，也可以經過接通外部電源構成，當柵壓等于零時就存在溝道（即在制造時構成的）稱為耗盡型，在施加外部電壓后才構成溝道的稱為增強型。按照導電溝道和溝道構成的過程兩點來分類，MOS管可以分為：P溝增強型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強型MOS管和N溝耗盡型MOS管。圖四類MOSFET和它們的圖形符號。功率MOSFET普通很少采用P溝道，由于空穴的遷移率比電子的遷移率低，相同的溝道尺寸，P溝道的晶體管比N溝道的導通電阻大。
3 工作原理
功率MOS管是從小功率MOS管展開來的。但在結構上，它們之間相差很大，為了更好天文解功率MOSFET的機理，首先來回想一下小功率場效應管的機理。以下以N溝道增強型小功率MOSFET的結構來說明MOS管的原理。
圖1是N溝道增強型小功率MOSFET的結構表示圖。
N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導體作為襯底，在襯底上面用擴散的方法構成兩各重摻雜的N＋區(qū)，然后在P型半導體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層，然后在兩個重摻雜的N+區(qū)上端用光刻的辦法刻蝕掉二氧化硅層，顯露N+區(qū)，最后在兩個N+區(qū)的表面以及它們之間的二氧化硅表面用蒸發(fā)或者濺射的辦法噴涂一層金屬膜，這三塊金屬膜構成了MOS管的三個電極，分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。MOSFET的特性可以用轉移特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。轉移特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時，柵極電壓UGS與相對應的漏極電流ID之間的關系曲線。圖3是某種場效應管的轉移特性。
圖MOS管的漏極輸出特性場效應晶體管的輸出特性可以劃分為四個區(qū)域：可變電阻區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)和恒流區(qū)。 可變電阻區(qū)（UDS
在這個區(qū)域內，UDS增加時，ID線性增加。在導電溝道接近夾斷時，增長變緩。在低UDS分開夾斷電壓較大時，MOS管相當于一個電阻，此電阻隨著UGS的增大而減小。截止區(qū)（UGS
擊穿區(qū)在相當大的漏－源電壓UDS區(qū)域內，漏極電流近似為一個常數(shù)。當UDS加大道一定數(shù)值以后，漏極PN結發(fā)作擊穿，漏電流疾速增大，曲線上翹，進入擊穿區(qū)。飽和區(qū)（UDS>UGS-UT）在上述三個區(qū)域保衛(wèi)的區(qū)域即為飽和區(qū)，也稱為恒流區(qū)或放大區(qū)。功率MOSFET應用在開關電源和逆變器等功率變換中，就是工作在截止區(qū)和擊穿區(qū)兩個區(qū)。
4 結構特性
圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由表面感應電荷構成的，溝道電流是表面電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。為了抑止MOSFET的載流才干太小和導通電阻大的難題，在大功率MOSFET中通常采用兩種技術，一種是將數(shù)百萬個小功率MOSFET單胞并聯(lián)起來，進步MOSFET的載流才干。另外一種技術就是對MOSFET的結構中止改進，采用一種垂直V型槽結構。圖3是V型槽MOSFET結構剖面圖。
圖3V型槽MOSFET結構剖面圖在該結構中，漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平方向活動，而是自重摻雜N區(qū)（源極S）動身，經過P溝道流入輕摻雜N漂移區(qū)，最后垂直向下抵達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，由于流通截面積增大，所以能經過大電流。在相同的電流密度下，體積也大大減少。
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