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電路分享|晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-12-01 

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電路分享|晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路-KIA MOS管


晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路

常見(jiàn)的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門(mén)電路:與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等,這篇文章介紹用晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路。


1. 二極管

① 二極管與門(mén)

用兩個(gè)二極管組成的與門(mén),A和B都為高電平時(shí),Y才為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


用1個(gè)二極管和1個(gè)電阻也可以組成與門(mén)。


晶體管,邏輯門(mén)電路


② 二極管或門(mén)

從下圖兩個(gè)或門(mén)電路可以看出,A和B只要有一個(gè)為高電平,輸出Y就為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


同樣的,用1個(gè)電阻和1個(gè)二極管也可以組成或門(mén)。


晶體管,邏輯門(mén)電路


2. 三極管

① 三極管非門(mén)

A為高電平,T1導(dǎo)通,Y為低電平;A為低電平,T1截止,Y為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


② 三極管與門(mén)

用2個(gè)NPN三極管搭建與門(mén);A和B都為高電平時(shí),T2和T3都導(dǎo)通,此時(shí)Y為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


用1個(gè)NPN和1個(gè)PNP搭建的與門(mén),當(dāng)A和B均為高電平時(shí),T4和T6都導(dǎo)通,Y為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


③ 三極管或門(mén)

在二極管或門(mén)基礎(chǔ)上,可以加一個(gè)NPN三極管,也可以組成或門(mén),A和B只要有一個(gè)高電平,T5就會(huì)導(dǎo)通,Y會(huì)由低電平變?yōu)楦唠娖剑划?dāng)A和B都為低電平時(shí),T5才截止,Y為低電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


④ 三極管與非門(mén)

與非門(mén)由與門(mén)和非門(mén)組成,在三極管與門(mén)基礎(chǔ)上稍作修改,可以變?yōu)槿龢O管與非門(mén)。


晶體管,邏輯門(mén)電路


⑤ 三極管或非門(mén)

用2個(gè)PNP三極管搭建的或非門(mén),A和B只要有一個(gè)高電平,Y就為低電平;當(dāng)A和B都為低電平時(shí),T9和T10均導(dǎo)通,Y為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


3. MOS管

① MOS管非門(mén)

用1個(gè)NMOS和1個(gè)PMOS搭建的非門(mén);當(dāng)A為高電平時(shí),T1截止,T2導(dǎo)通,Y為低電平;當(dāng)A為低電平時(shí),T1導(dǎo)通,T2截止,Y為高電平。


晶體管,邏輯門(mén)電路


② MOS管與非門(mén)

備注:T3和T4為NMOS,T5和T6為PMOS;

A=0,B=0時(shí),T5和T6導(dǎo)通,T3和T4截止,Y=1

A=1,B=0時(shí),T3和T6截止,T4和T5導(dǎo)通,Y=1

A=0,B=1時(shí),T3和T6導(dǎo)通,T4和T5截止,Y=1

A=1,B=1時(shí),T5和T6截止,T3和T4導(dǎo)通,Y=0


晶體管,邏輯門(mén)電路


③ MOS管或非門(mén)

備注:T7和T8為NMOS,T9和T10為PMOS;

A=0,B=0時(shí),T9和T10導(dǎo)通,T7和T8截止,Y=1

A=1,B=0時(shí),T7和T9截止,T8和T10導(dǎo)通,Y=0

A=0,B=1時(shí),T7和T9導(dǎo)通,T8和T10截止,Y=0

A=1,B=1時(shí),T9和T10截止,T7和T8導(dǎo)通,Y=0


晶體管,邏輯門(mén)電路


小結(jié):用晶體管繪制常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路,會(huì)讓我們對(duì)晶體管的特性更加熟悉,在電路設(shè)計(jì)時(shí)更加的從容淡定。




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