好文必看|MOS電容結構圖文解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-12-10
MOS結構具有Q隨V變化的電容效應，形成MOS電容。
絕緣層是理想的，不存在任何電荷,絕對不導電;
半導體足夠厚，不管加什么柵電壓，在到達接觸點之前總有一個零電場區(qū)(硅體區(qū))
絕緣層與半導體界面處不存在界面陷阱電荷;
金屬與半導體之間不存在功函數(shù)差。
負柵壓:多子的積累，體內(nèi)多子順電場方向被吸引到S表面，
能帶變化:空穴在表面堆積，能帶上彎
絕緣層是理想的，不存在任何電荷;Si和SiO2界面處不存在界面陷阱電荷;
金半功函數(shù)差為0。
系統(tǒng)熱平衡態(tài)，能帶平，表面凈電荷為0。
小的正柵壓:多子耗盡，表面留下帶負電的受主離子，不可動，且由半導體濃度的限制，形成負的空間電荷區(qū)。
能帶變化:P襯表面正空穴耗盡，濃度下降，能帶下彎，Xd:空間電荷區(qū)(耗盡層、勢壘區(qū))的寬度。
注意:正柵壓↑，增大的電場使更多的多子耗盡，Xd↑,能帶下彎增加。
大的正柵壓:能帶下彎程度↑，表面EFi到EF下，表面具n型。
P襯表面Na-面電荷密度↑，同時P襯體內(nèi)的電子被吸引到表面，表面出現(xiàn)電子積累，反型層形成。
注意:柵壓↑反型層電荷數(shù)增加，反型層電導受柵壓調(diào)制。閾值反型后，Xd↑最大值Xdt不再擴展。
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