MOS管電極知識與電極之間的區(qū)別解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-12-28
所有的FET都有柵極(gate)、 漏極(drain)、 源極(source) 三個端，分別大致對應BJT的基極(base)、 集電極(collector) 和發(fā)射極(eritter)。
除JFET以外，所有的FeT也有第四端，被稱為體(body)、基(base)、 塊體(bu1k) 或襯底(substrate)。 這個第四端可以將晶體管調制至運行;在電路設計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。
在圖中柵極的長度(1ength) L，是指源和漏的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz，0.2 微米則是約30GHz。
這些端的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。
體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連，根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。
一、指代不同
1、源極：簡稱場效應管。僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，?或驅動比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。
MOS管的定義：場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區(qū)域，其用P+表示，形成兩個P+N結。而N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。
把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID。
由于導電溝道是N型的，所以稱為N溝道結型場效應管。 場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效應管在制造產品時已把源極和襯底連接在一起了 ，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
對于絕緣柵NMOS管，接高壓為漏端，接低壓為源端。PMOS剛好相反。從原理上，NMOS載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，PMOS載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
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