什么是MOS管柵極懸空？MOS管柵極不能懸空！-KIA MOS管

MOS管柵極懸空

MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制，通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏級(jí)(drain)和源級(jí)(source)導(dǎo)通或截?cái)?。下面就是一個(gè)常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電路。

MOS管柵極懸空：Vg輸入高時(shí)，N管會(huì)導(dǎo)通，使得P管的柵極為低，P管的DS導(dǎo)通。

Vg為高阻態(tài)時(shí)，Vout輸入不定，檢查發(fā)現(xiàn)P管的柵極電壓變化不定。R2虛焊，從而導(dǎo)致了N管的柵極懸空，R2焊好，問(wèn)題解決。

因此，MOS管的柵極不能懸空。P管應(yīng)該有一個(gè)上拉電阻，對(duì)應(yīng)的，N管應(yīng)該有一個(gè)下拉電阻。

MOS管柵極懸空：MOS管每一級(jí)之間都會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電容，G同S極D極可看成絕緣的，G極懸空后，感應(yīng)電壓沒(méi)有釋放回路，從而控制mos管導(dǎo)通。MOS管前端電壓不受控制直接加在后端電路上了。

mos管柵極不能懸空，否則Vg處于高阻態(tài)，使得柵極電壓變化不確定。

對(duì)于TTL電路而言，懸空的相當(dāng)于高電平。

具體怎么處理？什么時(shí)候接高電平，什么時(shí)候接低電平？

輸入的門(mén)電路考慮到前面的電壓損耗，高電平的確定范圍會(huì)低一點(diǎn)，輸出的高電平值會(huì)高一些。

芯片的輸出管腳，除了芯片有特別說(shuō)明外，都是可以直接懸空處理。

參考：

TTL集成電路，“管腳懸空相當(dāng)于高電平” 是由于TTL集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的。TTL的輸入端是發(fā)射極輸入方式，就是說(shuō)前級(jí)輸入低電平,是給它提供一個(gè)電流流出的通路,相當(dāng)于輸入邏輯"0”;

輸入端開(kāi)路時(shí),沒(méi)有“下拉”電流流出,是“非零”狀態(tài),所以等于高電平輸入,是邏輯“1”。但是不建議這樣用，抗干擾能力差。把不用的輸入端通過(guò)1 K電阻接正電源為好。再把TTL的輸出結(jié)構(gòu)(三極管互補(bǔ)輸出)看看就明白了。

學(xué)習(xí)集成電路的應(yīng)用知識(shí)，不管是模擬的、數(shù)字的、計(jì)算機(jī)的集成電路,內(nèi)部的原理、結(jié)構(gòu)不重要,但是一定要記住輸入、輸出端的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)，即集成塊的“對(duì)外特性” 要掌握。

推挽輸出概念

推挽輸出的輸出端由兩個(gè)mos管組成，上面一個(gè)是p溝道m(xù)os管，其源級(jí)接VCC，下面一個(gè)是n溝道m(xù)os管，其源極接地，推挽輸出既可以輸出高電平也可以輸出低電平，相當(dāng)于一個(gè)反相器。開(kāi)漏輸出就主要一個(gè)n溝道m(xù)os管接地，可以輸出低電平，如果要輸出高電平則需要一個(gè)外加電源和上拉電阻。

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