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場效應管通斷原理-干貨圖解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-03-24 

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場效應管通斷原理-干貨圖解-KIA MOS管


場效應管通斷原理

場效應管通斷原理是:MOS管工作在恒流區(qū)和夾斷區(qū),柵源極之間的電壓,控制漏源極之間的電流,當柵源之間電壓一定時,漏源之間電流一定。


了解場效應管的開通/關斷原理你就會發(fā)現,使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設計復雜,一般情況下意義不大,所以很少采用。


下面先了解場效應管通斷原理,請看下圖:


場效應管通斷原理


NMOS管的主回路電流方向為D→S,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);而PMOS管的主回路電流方向為S→D,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高),下面以導通壓差6V為例。


NMOS管

使用NMOS當下管,S極直接接地(為固定值),只需將G極電壓固定值6V即可導通;若使用NMOS當上管,D極接正電源,而S極的電壓不固定,無法確定控制NMOS導通的G極電壓,因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài),MOS管截止時為低電平,導通時接近高電平VCC。


當然NMOS也是可以當上管的,只是控制電路復雜,這種情況必須使用隔離電源控制,使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這么干,明顯增加電路難度。


場效應管通斷原理


PMOS管

使用PMOS當上管,S極直接接電源VCC,S極電壓固定,只需G極電壓比S極低6V即可導通,使用方便;


同理若使用PMOS當下管,D極接地,S極的電壓不固定(0V或VCC),無法確定控制極G極的電壓,使用較麻煩,需采用隔離電壓設計。


場效應管通斷原理




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