MOS管怎么放電？MOS管充放電原理解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-04-19
一、基本原理
MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過(guò)程。
開(kāi)啟時(shí)通過(guò)柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以R1較大的話，時(shí)間常數(shù)就大了。這樣如果開(kāi)關(guān)頻率很高的話，在脈寬的時(shí)間內(nèi)管子很可能無(wú)法正常導(dǎo)通。
一般用方波來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管，由于Cgs的電容效應(yīng)，驅(qū)動(dòng)波形發(fā)生畸變，如上圖。
所以gs波形的上升沿和下降沿會(huì)變緩，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生振蕩，所以在布板的時(shí)候，驅(qū)動(dòng)環(huán)路一定要短，驅(qū)動(dòng)芯片周圍盡可能敷銅用地包起來(lái)，防止產(chǎn)生不必要的干擾。
二、參考電路
為了快速開(kāi)通和關(guān)斷，提供以下兩種電路作為參考:
當(dāng)OUT為高，由于D2反相，只能通過(guò)R1向MOS管充電，
當(dāng)OUT為低，gs電容通過(guò)R2，D2向驅(qū)動(dòng)放電。
R1，R2的值一般在10R左右，可根據(jù)測(cè)試的驅(qū)動(dòng)波形適當(dāng)調(diào)整參數(shù)。
下圖原理分析類似
三、注意事項(xiàng)
MOS管gs間必須加一個(gè)5-10KΩ的放電電阻，這一點(diǎn)非常重要。
理由有二:
1.防止在靜電作用下，電荷沒(méi)有釋放回路，容易引起靜電擊穿；
2.MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí)，就是不斷的給Cgs充放電，當(dāng)斷開(kāi)電源時(shí)，Cgs內(nèi)部可能儲(chǔ)存有一部分電荷，但是沒(méi)有釋放回路，MOS管柵極電場(chǎng)仍然存在且能保持很長(zhǎng)時(shí)間，建立導(dǎo)電溝道的條件沒(méi)有消失。在下次開(kāi)機(jī)時(shí)，在導(dǎo)電溝道的作用下，MOS管立即產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id，引起MOS管燒壞。
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