場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)應(yīng)用-開(kāi)關(guān)電路分析-KIA MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí); Q1、Q2是輪番導(dǎo)通, MOS管柵極是在反復(fù)充電、放電的狀態(tài),假設(shè)在此時(shí)關(guān)閉電源, 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極就有兩種狀態(tài); -一個(gè)狀態(tài)是;放電狀態(tài),柵極等效電容沒(méi)有電荷存儲(chǔ),一個(gè)狀態(tài)是;充電狀態(tài),柵極等效電容正好處于電荷充溢狀態(tài),圖2-5-A所示。

固然電源切斷,此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開(kāi)狀態(tài),電荷沒(méi)有釋放的回路, 場(chǎng)效應(yīng)管柵極的電場(chǎng)仍然存在(能堅(jiān)持很長(zhǎng)時(shí)間) , 樹(shù)立導(dǎo)電溝道的條件并沒(méi)有消逝。

這樣在再次開(kāi)機(jī)瞬間,由于鼓舞信號(hào)還沒(méi)有樹(shù)立,而開(kāi)機(jī)瞬間場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電源(VDS )隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下, 場(chǎng)效應(yīng)管即刻產(chǎn)生不受控的龐大漏極電流ID ,使場(chǎng)效應(yīng)管燒壞。

為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生,在場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)源極并接一只泄放電阻R1 ,如圖2- 5-B所示,關(guān)機(jī)后柵極存儲(chǔ)的電荷經(jīng)過(guò)R1疾速釋放,此電阻的阻值不可太大,以保證電荷的疾速釋放，普通在5K ~數(shù)10K左右。

場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)振蕩電路中的應(yīng)用

開(kāi)關(guān)集成電路U101中的振蕩器起振,為場(chǎng)效應(yīng)管Q101的柵極G提供振蕩信號(hào),于是場(chǎng)效應(yīng)管Q101開(kāi)始振蕩,使開(kāi)關(guān)變壓器T101的初級(jí)線圈中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)電流,開(kāi)關(guān)變壓器的次級(jí)線圈3、4中便產(chǎn)生感應(yīng)電流，3腳的輸出經(jīng)整流、濾波后形成正反饋電壓加到U101的7腳,從而維持振蕩電路工作,使開(kāi)關(guān)電源進(jìn)入正常的工作狀態(tài)。場(chǎng)效應(yīng)管作為該電路中的脈沖放大器件,用于實(shí)現(xiàn)“開(kāi)關(guān)振蕩的功能。

左面是增強(qiáng)型 N溝道MOS，簡(jiǎn)稱NMOS, 右面是增強(qiáng)型P溝道MOS，簡(jiǎn)稱PMOS, 各接成反向器電路圖。

NMOS的漏極(D)接在+5V的電源上，器件參數(shù)中設(shè)定它的閾值Vth =+1.5V， 當(dāng)加在柵極(G)和源極(S)間的電壓VGs<Vth時(shí),管子截止，而當(dāng)VGs> Vth時(shí)，管子導(dǎo)通; PMOS的漏極接在-5V的電源上，器件參數(shù)中設(shè)定它的閾值Vth =-1.5V, 當(dāng)VGs>Vth時(shí)，管子截止，而當(dāng)VGs<Vth 時(shí)，管子導(dǎo)通。為了使截止和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)界限分明，VGs與Vth 的差別要比較大。

電路輸出端的電容是下級(jí)電路對(duì)本級(jí)的作用的代表，MOS管的輸入電阻很大，一般可當(dāng)做無(wú)窮大，其作用主要表現(xiàn)為電容性。

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