大功率350V11A ?KIA6035A N溝道MOS管規(guī)格書 封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-08
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術(shù)制作的。這個先進的技術(shù)是為電阻最小轉(zhuǎn)態(tài)而特別定制的，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脈沖。這款設(shè)備非常適合于高效率的開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低柵極充電（典型15nC）
耐用性高
快速切換能力
指定雪崩能量
改進的dv/dt能力
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