MOS管KIA18N50H 500V18A?資料 原廠現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)勢(shì)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-21
KIA18N50H 是N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設(shè)計(jì)的。電壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效開關(guān)電源，功率因數(shù)校正。
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低柵電荷
快速切換能力
提高了dv/dt能力
工作方式：18A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:72A
峰值二極管恢復(fù)dv/dt:4.5V/ns
輸入電容：2500pF
輸出電容：400pF
連續(xù)漏源電流：18A
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KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。
KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
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