600V9.5A MOS管KIA10N60H 產(chǎn)品資料 原廠好價-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-01
KIA10N6OHN溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開關(guān)如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋到全橋的電子燈鎮(zhèn)流器等。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低柵電荷（典型的44nc)
3、快速切換能力
4、雪崩能量指定值
5、增強(qiáng)的dv/dt能力
產(chǎn)品型號：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源極電壓:600V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):9.5A/5.7A
峰值二極管恢復(fù):4.5V/ns
結(jié)溫:+150℃
貯存溫度:-55℃至150℃
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