場效應(yīng)管的微變等效電路分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-06
場效應(yīng)管的微變等效電路如圖所示。
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。
關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：
（1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正；
（2）電路中出現(xiàn)了受控源。受控源的大小和極性均具有從屬性。在分析電路時，可以象獨(dú)立源一樣進(jìn)行等效變換，但控制量不能丟失，在涉及獨(dú)立源取零值的處理中，不能對受控源進(jìn)行開路或短路處理，只能視控制量而定。
（3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態(tài)工作點(diǎn)。
（4）晶體管的輸入電阻 rbe（hie）一般可用下列近似公式進(jìn)行估算：
式中 表示晶體管基區(qū)的體電阻，對一般小功率管約為300ω左右（計算時，若未給出，可取為300ω），ie為通過管于發(fā)射極的靜態(tài)電流，單位是ma。在ie≤5ma范圍內(nèi)，式gs0220計算結(jié)果與實際測量值基本一致。
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