MOS管并聯(lián)使用解析及并聯(lián)電路圖-KIA MOS管

MOS管如何并聯(lián)使用？

并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。

MOS管并聯(lián)電路圖

MOS管并聯(lián)工作原理

在圖1中，采用對(duì)每個(gè)并聯(lián)的MOS管單獨(dú)實(shí)限流技術(shù)來限制流過每個(gè)MOS管的電流。

具體方法如下：

在每個(gè)MOS管串聯(lián)作電流檢測用的采樣電阻（圖中的RlO、Rll、R12），實(shí)時(shí)對(duì)流過每個(gè)MOS管的電流進(jìn)行監(jiān)測。3路分流器的采集信號(hào)均送入4比較器。

LM339，作為判斷是否過流的依據(jù)：只要流過任何一個(gè)MOS管的電流超過對(duì)其所限定的電流保護(hù)值，則控制回路依據(jù)送出的過流保護(hù)信號(hào)馬上限制驅(qū)動(dòng)脈沖的開度，保證當(dāng)前流過每個(gè)MOS管的電流不超過所限定的電保護(hù)值。

在圖1中，如果在PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖加入后，假定MOS1先開通，MOS2、MOS3暫時(shí)未開通，則電流只能先流過MOS1，而且電流被限制在其限制值以內(nèi)；

接著MOS2又開通，則部分原先流過MOS1的電流會(huì)被分流到MOS2，必然引起流過MOS1的電流小于其限制值，于是過流信號(hào)消失，PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖開度加大，直至電流重新到達(dá)MOS1或MOS2的電流限制點(diǎn)后，PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖才會(huì)停止增加。

以后MOS3導(dǎo)通的又重復(fù)上述的電流分配過程，直至到達(dá)新的電流平衡。同理，可分析MOS管任何時(shí)刻單個(gè)或多個(gè)導(dǎo)通時(shí)電流的自行分配過程。

MOS管并聯(lián)注意事項(xiàng)

1、飽和壓降VDs或?qū)≧DSon：

對(duì)所有并聯(lián)的MOS管而言，導(dǎo)通時(shí)其管壓降是相同的，其結(jié)果必然是飽和電壓小的MOS管先流過較大的電流，隨著結(jié)溫的升高，管壓降逐漸增大，則流過管壓降大的MOS管的電流又會(huì)逐漸增大，從而減輕管壓降小的MOS管的工作壓力。

因此，從原理上講，由于N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或?qū)娮鑂DSon具有正的溫度特性，是很適合并聯(lián)的。

2、開啟電壓VGS（th）：

在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，開啟電壓VGS（th）的不同，會(huì)引起MOS管的開通時(shí)刻不同，進(jìn)而會(huì)引起先開通的MOS管首先流過整個(gè)回路的電流，如果此時(shí)電流偏大，不加以限制，則對(duì)MOS管的安全工作造成威脅；

3、開通、關(guān)斷延遲時(shí)間Td（on）、td（off）；開通上升、關(guān)斷下降時(shí)間tr、tf：

同樣，在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也會(huì)引起MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同，進(jìn)而會(huì)引起先開通／后關(guān)斷的MOS管流過整個(gè)回路的電流，如果此時(shí)電流偏大，不加以限制，則同樣對(duì)MOS管的安全工作造成威脅。

4、驅(qū)動(dòng)極回路的驅(qū)動(dòng)輸入電阻、等效輸入電容、等效輸入電感等，均會(huì)造成引起MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同。

綜上所述，可以看出，只要保證無論在開通、關(guān)斷、導(dǎo)通的過程流過MOS管的電流均使MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi)，則MOS管的安全工作得到保障。

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