MOS管?KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù) 國(guó)產(chǎn)品牌 價(jià)格優(yōu)勢(shì)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-07-22
這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。這些器件適用于高效開(kāi)關(guān)電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。
RDS(on)=0.85Ω @ VGS=10V
低柵電荷(典型63 nC)
高強(qiáng)度
快速開(kāi)關(guān)能力
雪崩能量指定
改進(jìn)dv/dt能力
ESD改進(jìn)能力
聯(lián)系方式：鄒先生
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