MOS器件退化簡介及退化機理介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-29
器件退化的含義：
也就是隨著應(yīng)力時間的推移，輸出電流下降，同時閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡單講，柵電壓時漏電壓一半的時候，襯底電流最大，同時漏端因為夾斷點推移而出現(xiàn)的空間電荷區(qū)的場強最強，從而導(dǎo)致熱載流子最嚴重，所以器件最容易退化。
我們來對比一下器件退化與擊穿的差異：盡管沒有擊穿，但是器件也是性能發(fā)生了降低，也就是會影響器件的使用壽命。
器件壽命的定義：
器件退化的機理：如前所講，器件出現(xiàn)夾斷點時，也就是器件進入飽和工作區(qū)時，漏端出現(xiàn)空間電荷區(qū)，從而出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。
產(chǎn)生機制：
需要注意以下幾點：
飽和狀態(tài)下空間電荷區(qū)位于柵下靠近漏端一側(cè)
靠近漏端的空間電荷區(qū)具有:
高電場
熱載流子
電離碰撞產(chǎn)生電子空穴對
熱載流子的產(chǎn)生是非均勻的
襯底電流：
熱載流子會產(chǎn)生的2種物理缺陷：氧化層缺陷和界面態(tài)缺陷。
熱載流子的物理描述：
界面態(tài)陷阱和氧化層陷阱的產(chǎn)生：
氧化層缺陷產(chǎn)生機理：
氫解析模型和兩種模型共同作用
氧化層電荷的電學(xué)影響：氧化層電荷增加，自然引起VT變化，這也是熱載流子效應(yīng)比較明顯的結(jié)果；如果VT變高，自然導(dǎo)致漏電降低。
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