【功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管】MOSFET領(lǐng)域是什么？
信息來源：本站 日期：2017-07-13
Power MOSFET全稱為功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。其電氣符號(hào)及根本接法如圖3-25所示。
PowerMOSFET有三個(gè)極，即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)?？刂菩盘?hào)“GS加于柵極和源極之間，改動(dòng)UGS的大小，便可改動(dòng)漏極電流ID的大小。由于柵—源極之間的阻抗十分大，因而控制電流能夠極小，簡直為0，所以驅(qū)動(dòng)功率很小。
器件內(nèi)寄生有反向二極管，它在變頻器電路中起續(xù)流維護(hù)作用。
①最大漏極電流IDM 是允許連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)的最大漏極電流。
②擊穿電壓uDs 是指漏極與源極之間的擊穿電壓，也就是指管子在截止?fàn)顟B(tài)下，漏極與源極之間的最大維持電壓。
③閾值電壓UGS 是可以使MOSFET管子導(dǎo)通的最低柵極電壓。該電壓為2- 6V。實(shí)踐運(yùn)用時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)為(1.5-2.5)Ucs，即15v左右。
④導(dǎo)通電阻RON是MOSFET管子導(dǎo)通時(shí)，漏極與源極之間的電阻值。RON決議了管子的通態(tài)損耗。導(dǎo)通電阻RCN有正溫度系數(shù)，即電流越大，RON的值也因附加發(fā)熱而自行增大。因而它對(duì)電流的增加有抑止作用。這在器件并聯(lián)應(yīng)用時(shí)有自動(dòng)平衡電流的效果。
⑤開關(guān)頻率 MOSFET的開關(guān)速度和工作頻率要比GTR高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。普通MOSFET的開關(guān)時(shí)間為幾微秒至幾十微秒，最高頻率可達(dá)50kHz以上。
相關(guān)搜索：
mosfet mos場效晶體管 碳化硅二極管
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識(shí)別關(guān)注
