雙P溝道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V參數 SOP-8 原廠送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-27
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅動電壓的電源管理應用進行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
KIA半導體設計生產的碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度對于開關行為的影響較小、標準工作溫度范圍為-55℃到175℃，大大降低散熱器的需求。碳化硅二極管的主要優(yōu)勢在于它具有超快的開關速度且無反向恢復電流，與硅器件相比，它能夠大大降低開關損耗并實現卓越的能效。更快的開關速度同時也能讓制造商減小產品電磁線圈以及相關無源組件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統重量，并降低物料（BOM）成本。
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
低壓充放電（6Nctypical）
高功率和電流的能力
快速切換速度
工作方式：-5.3A/-30V
漏源極電壓：-30V
柵源電壓:±20V
最大漏電流連續(xù)：-5.3A
最大脈沖漏電流:-20A
連接和儲存溫度范圍:-55℃至150℃
漏源擊穿電壓：-30V
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。
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