12N65場效應管 ?12N65參數(shù)?代換650V12A 12N65引腳-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-08-12
KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET設計用于高功率應用，諸如高效率開關模式電源的高速功率開關應用，有源功率因數(shù)校正，基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。
RDS(on)= 0.63Ω @ VGS= 10 V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速開關能力
雪崩能量
改進dt／dt能力
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