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小信號參數(shù)MOS晶體管的工作區(qū)域是否會有什么變化,小信號參數(shù)是什么

信息來源:本站 日期:2017-08-22 

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在強反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作

小信號參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài),而且工作在飽和區(qū),求這種狀況下的小信號參數(shù)。
應用第1章的式(1.18),可將跨導gm表示如下:

在能夠疏忽溝道長度調(diào)制效應的狀況下,得到

這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為

也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為

體跨導gmb能夠由下式求得:

由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導出

所以得到

應用式(1.18),能夠?qū)⒙O電導表示為

應用這些小信號參數(shù),能夠?qū)⑿⌒盘柭O電流id表示為下式:

CMOS模仿電路中主要運用的下作區(qū)域是強反型的飽和區(qū)。表2.1列出這個工作區(qū)域中的小信號參數(shù)。
mos管


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