場效應(yīng)管1000v 13a 64100A引腳圖 mos管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-28
KNX64100A場效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換，電機控制等。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。
快速切換
RDS（ON），典型=0.85Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
DC-DC轉(zhuǎn)換器
直流斬波器
交流電機控制
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