大功率MOS管7880A 27A 800V場(chǎng)效應(yīng)管27n80-KIA MOS管

大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達(dá)800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、電源分流器、電箱等產(chǎn)品。封裝形式：TO-264；腳位排列位GDS。

KNK7880A為N溝道27A/800V增強(qiáng)型VDMOSFET，采用高級(jí)平面技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V-特點(diǎn)

高級(jí)平面工藝

RDS（ON）=280mΩ（典型值）@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關(guān)損耗

加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V-應(yīng)用

無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

電焊機(jī)

高效開關(guān)電源

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V-封裝

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V-參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V

KIA半導(dǎo)體MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。來(lái)電咨詢，免費(fèi)送樣！

場(chǎng)效應(yīng)管7880A 27A 800V