2408A場效應管 190a 80v ?參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-14
MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先進的溝槽技術，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，高效穩(wěn)定。廣泛應用于無刷電機、不間斷電源等產(chǎn)品。封裝形式：TO-220、TO-263、TO-247。
VDS=80V，ID=190A，RDS（開啟）（典型值）=3.7mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度電池設計
完全表征的雪崩電壓和電流
穩(wěn)定性和均勻性好，EAS高
出色的封裝，散熱良好
電源切換應用
硬開關和高頻電路
不間斷電源
KIA半導體MOSFET場效應管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。來電咨詢，免費送樣！
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