28n50場效應(yīng)管參數(shù),28n50?代換,28A 500V,逆變器-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-18
高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于車載逆變器、LED電源、手機充電器、備用電源等。封裝形式：TO-3P、TO-220F。
RDS（ON）=0.16Ω（典型值）@VGS=10V
低柵極電荷
低Crss
100%雪崩Aested
提高dv/dt能力
符合RoHS
LED電源
手機充電器
備用電源
28n50場效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，可以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。歡迎來電咨詢，免費送樣！
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