KCX3310A場效應管參數(shù),100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-10-30
KCX3310A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先進的SGT技術(shù)，具有極低的開關(guān)損耗、卓越的穩(wěn)定性、良好的開關(guān)特性等優(yōu)點，適用于電源切換應用、硬開關(guān)和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
RDS低（打開）和FOM
極低的開關(guān)損耗
采用先進的SGT技術(shù)
卓越的穩(wěn)定性和均勻性
快速切換和軟恢復
電源切換應用
低導通電阻（典型值）RDS（導通）=5mΩ
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
漏極-源極電壓：100V
連續(xù)漏極電流：TO-263 90A/DFN5*6 85A
脈沖漏極電流：TO-263 360A/DFN5*6 340A
雪崩能量：529mJ
柵極-源極電壓：±20 V
功率耗散：TO-263 166W/DFN5*6 90W
連接和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
