09n03場效應管參數(shù),09n03la代換,?KIA100N03?-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-21
KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；采用KIA半導體的先進平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)；封裝形式：TO-251/252/263/220。這種平面條紋DMOS技術(shù)專門針對最小化通態(tài)電阻，提供了優(yōu)越的開關(guān)性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。KIA100N03場效應管適用于高效率開關(guān)電源，有功功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。
KIA100N03場效應管非常適合應用于小功率LED、鋰電池保護板等產(chǎn)品領(lǐng)域，KIA100N03場效應管可以代換IR8726、09N03、30H10K場效應管型號進行使用，KIA100N03場效應管具有增強的dv/dt能力、快速切換等特性，綠色設(shè)備可用，優(yōu)質(zhì)原廠直銷。
工作方式：90A/30V
漏源電壓：30V
柵源電壓：±20A
漏電流連續(xù)：90A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
熱電阻：62℃/V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：3070PF
輸出電容：400PF
反向傳輸電容：315PF
開啟延遲時間：12.6ns
關(guān)斷延遲時間：12.6ns
上升時間：42.8ns
下降時間：13.2ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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