低壓MOS管KNX8606B,35A 60V,超低內(nèi)阻場效應(yīng)管-KIA MOS管

KNX8606B,35A 60V,場效應(yīng)管資料

KNX8606B 35a 60v參數(shù)這款功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。

這項先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合低電壓應(yīng)用，例如DC/DC轉(zhuǎn)換器和用于便攜式和電池操作產(chǎn)品中的功率管理的高效開關(guān)。

KNX8606B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達60V，漏極電流35A，RDS（開）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低柵極電荷（典型33nC）、高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，高效率低損耗。

KNX8606B 35a 60v場效應(yīng)管性能出色，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域；廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品。KNX8606B的封裝形式：TO-252，方便安裝和使用。KNX8606B是由KIA半導(dǎo)體原廠直銷的，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

MOS管KNX8606B參數(shù),35A 60V

KNX8606B場效應(yīng)管參數(shù)詳情

漏源電壓：60V

漏極電流：35A

柵源電壓（連續(xù)）：±20V

脈沖漏極電流：80A

雪崩能量：450mJ

功耗：60W

柵極閾值電壓：2.5V

輸入電容：2800 PF

輸出電容：200 PF

開通延遲時間：15nS

關(guān)斷延遲時間：60nS

上升時間：105 ns

下降時間：65ns

KNX8606B場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書

MOS管KNX8606B參數(shù),35A 60V

KIA半導(dǎo)體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管；廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領(lǐng)域；可申請免費送樣以及報價、技術(shù)支持服務(wù)。

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