fhp100n07參數(shù)代換,KNP2906B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-03
KNP2906B能夠代換飛虹fhp100n07場效應(yīng)管進(jìn)行使用，KNP2906B采用KIA的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)，使MOS管具有更好的特性，包括快速開關(guān)時(shí)間、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和特別優(yōu)異的雪崩特性。
KNP2906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@VGS=10V，低柵極電荷（典型值為148nC），具有高堅(jiān)固性和100％的雪崩測試，穩(wěn)定可靠；還具有改進(jìn)的dv/dt能力，適用于同步整流、鋰電池保護(hù)板和逆變器等多種應(yīng)用場景，能夠有效減小功率損耗和提高整體效率。
漏源電壓：60V
漏極電流：130A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：4.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：580A
雪崩能量單脈沖：506MJ
總功耗：195.3W
總柵極電荷：148nC
輸入電容：6564PF
輸出電容：553PF
開通延遲時(shí)間：35nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：135nS
上升時(shí)間：78ns
下降時(shí)間：60ns
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