mos擊穿,mos管擊穿的原因及解決方法-分析大全
信息來源：本站 日期：2017-10-27
（1）穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐漸增大的特征，這是因為耗盡層擴(kuò)展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏呈現(xiàn)電流逐漸增大的特征。
（2）穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此刻源端的載流子注入到耗盡層中， 被耗盡層中的電場加快到達(dá)漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。
（3）穿通擊穿一般不會呈現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強(qiáng)沒有到達(dá)雪崩擊穿的場強(qiáng)，不會發(fā)生許多電子空穴對。
（4）穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道外表不容易發(fā)生穿通，這主要是因為溝道注入使外表濃度比濃度大構(gòu)成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。
（5）一般的，鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。
（6）多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，跟著柵長度添加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴(yán)格來說也有影響，可是沒有那么明顯。
第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又十分小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少數(shù)電荷就可在極間電容上構(gòu)成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護(hù)措施，但仍需當(dāng)心對待，在存儲和運送中最好用金屬容器或許導(dǎo)電資料包裝，不要放在易發(fā)生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。拼裝、調(diào)試時，東西、外表、工作臺等均應(yīng)杰出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構(gòu)成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對器材引線矯直曲折或人工焊接時，運用的設(shè)備有必要杰出接地。
第二、MOS電路輸入端的維護(hù)二極管，其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA 在可能呈現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超越10mA)時，應(yīng)串接輸入維護(hù)電阻。而129#在初期設(shè)計時沒有參加維護(hù)電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而經(jīng)過替換一個內(nèi)部有維護(hù)電阻的MOS管應(yīng)可避免此種失效的發(fā)生。還有因為維護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使維護(hù)電路失去效果。所以焊接時電烙鐵有必要可靠接地，以防漏電擊穿器材輸入端，一般運用時，可斷電后使用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。
MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導(dǎo)通，外部攪擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個細(xì)小的電荷能夠貯存很長時刻。在實驗中G懸空很風(fēng)險，許多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路攪擾信號就不會直通了，一般能夠10~20K。
這個電阻稱為柵極電阻。效果1：為場效應(yīng)管供給偏置電壓;效果2：起到瀉放電阻的效果(維護(hù)柵極G~源極S)。榜首個效果好了解，這兒解釋一下第二個效果的原理：維護(hù)柵極G~源極S：場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少數(shù)的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩頭發(fā)生很高的電壓，如果不及時把這些少數(shù)的靜電瀉放掉，他兩頭的高壓就有可能使場效應(yīng)管發(fā)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，然后起到了維護(hù)場效應(yīng)管的效果。
