電機(jī)控制,電源mos管,KPS6110B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-02
KPS6110B場效應(yīng)管采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-12A，在VGS=-10V時，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且堅固、綠色設(shè)備可用，在電源管理、直流電機(jī)控制中提高優(yōu)越的性能；封裝形式：SOT89，小巧、安裝方便、散熱良好。
漏源電壓：-100V
漏極電流：-12A
漏源通態(tài)電阻：170mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-48A
雪崩能量單脈沖：49MJ
功率耗散：39W
總柵極電荷：19nC
輸入電容：1228PF
輸出電容：41PF
開通延遲時間：9nS
關(guān)斷延遲時間：39nS
上升時間：6ns
下降時間：33ns
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