5n50場效應(yīng)管參數(shù),5A 500V MOS,?KIA5N50SD中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-06
KIA5N50SD場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻，RDS（ON）為1.38Ω，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；具有堅(jiān)固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復(fù)時(shí)間可與分立快速恢復(fù)二極管相媲美、二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路、高溫下規(guī)定的IDSS和VDS（on）等優(yōu)越性能，應(yīng)用穩(wěn)定可靠，高效低耗；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好。
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：15A
單脈沖雪崩能量：80MJ
功率耗散：44.6W
閾值電壓：3.5V
總柵極電荷：12nC
輸入電容：525PF
輸出電容：50PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時(shí)間：14nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：29nS
上升時(shí)間：14.5ns
下降時(shí)間：12ns
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