mosfet驅動電路,原理圖,工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-08
mosfet驅動電路設計要求：
1、當開關管導通時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流，使mos的柵極和源極之間的電壓迅速升高到所需值，保證不僅開關管能快速開啟而且在上升沿也沒有高頻振蕩。
2、在開關導通期間，驅動電路要保證mos管的柵源極間電壓保持穩(wěn)定可靠導通。
3、在關斷的瞬間，驅動電路要提供一條阻抗盡可能低的通路，快速將mosfet柵極和源極之間的電容電壓放電，保證開關管能夠快速關斷。
4、電路結構要簡單、高效、可靠。
5、相應地應用電氣隔離。
mosfet驅動電路的原理是通過調節(jié)柵極電壓控制漏源極的導通狀態(tài)，利用柵極電容充放電實現快速開關。
電壓驅動特性
mosfet是電壓控制器件，柵極與源極間通過氧化層隔離，導通狀態(tài)由柵源電壓（VCs）決定。
N溝道增強型mosfet需施加正向VCs（高于閾值電壓）形成導電溝道，使漏源極導通；關斷時Vcs需降至閾值以下或施加負壓。
柵極電容與充放電
關鍵參數：輸入電容（CISS）、輸出電容（COSS）、反饋電容（CRSS）共同影響開關速度。
動態(tài)過程：
導通：驅動電路需以低阻抗快速對柵極電容充電，縮短上升時間（TR）。
關斷：需提供低阻抗放電回路，加速Vcs下降。
用于NMOS的驅動電路
用于PMOS的驅動電路
針對NMOS驅動電路簡單分析：
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節(jié)。
最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。
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