適配器mos管,500vmos管,KIA840SB參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-09
KIA840SB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開關(guān)速度快，高效可靠；100%雪崩測試、符合RoHS，穩(wěn)定環(huán)保；合理的峰值電流與脈沖寬度曲線，提供優(yōu)越的開關(guān)性能；適用于適配器、電視電源、SMPS電源以及液晶面板電源，封裝形式：TO-263，散熱良好、安裝方便。
漏源電壓：500V
漏極電流：8A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：160W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：24nC
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：10PF
開通延遲時(shí)間：11nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：46nS
上升時(shí)間：17ns
下降時(shí)間：22ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
