限流電路圖,限流恒流電路原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-21
電路如圖，當(dāng)電流低于閾值時，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達到閾值時，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定，負(fù)載再加重的話，輸出電流也保持恒定，而輸出電壓Vout會隨著負(fù)載加重而下降。
圖中R1和R2為分壓電阻，使MOS管Q2的Vgs電壓固定為12V.ZD1為穩(wěn)壓二極管，防止輸入電壓波動時，Q2的Vgs電壓超過限制，保護MOS管。具體穩(wěn)壓管參數(shù)可根據(jù)MOS管規(guī)格書中Vgs限制參數(shù)來選擇。電容C1為緩啟動電容，剛上電時，因C1上電壓為零，A點的電壓最高，隨著電容充電，充電電流越來越小，A點的電壓逐漸下降，電容上的電壓也越來越大，從而確保Q2的Vgs是緩慢增大的。實現(xiàn)Q2開關(guān)動作的緩啟動。如下圖：
當(dāng)負(fù)載電流達到一個閾值時，即R3上的壓降達到0.7V時（實際約為0.7V），Q1會導(dǎo)通。這個閾值約為0.7V/6.8R.為方便計算，我們將這個閾值約等于為100mA。
電路是怎么實現(xiàn)限流恒流的？給輸出加上一定的負(fù)載，當(dāng)輸出電流小于100mA時，Q1不工作，輸出電流的大小完全由負(fù)載大小決定，調(diào)整負(fù)載，負(fù)載越重輸出電流越大，當(dāng)這個負(fù)載加重，欲使輸出電流超過100mA時，R3上的電壓使Q1的發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，Q1導(dǎo)通工作，Q1導(dǎo)通后，MOS管的Vgs電容上存儲的電壓會通過Q1放電，Vgs電壓會下降，隨著Vgs電壓下降，MOS管DS極間的等效電阻會加大，Vgs會下降到什么程度呢？
根據(jù)MOS管的特性，Vgs電壓的大小和DS極間的電阻大小是有關(guān)聯(lián)的，當(dāng)Vgs下降到某值，即DS極間的電阻增大到一定值時，整個回路的總阻抗保持不變，即雖然負(fù)載加重，負(fù)載阻抗減小了，但MOS管的DS極間的電阻增大了，從而限制了因為負(fù)載加重，輸出電流想要超過100mA的這個趨勢，而且因為Q1發(fā)射結(jié)的存在，整個回路的電流將被鉗位為不超過100mA.最終MOS的Vgs將穩(wěn)定在低于12V的一個值。
此時，若再接著加重負(fù)載，同理Vgs將繼續(xù)減小，MOS的DS極電阻將繼續(xù)增大，簡單來說就是，負(fù)載阻抗減小的部分，MOS管DS極間電阻補上，保證整個總阻抗不變，從而保證整個輸出電流不超過100mA。
Vgs電容放電回路
以上同理，當(dāng)負(fù)載減輕時，MOS管的Vgs電壓會上升，DS極間電阻會減小，保證輸出電流為100mA。本電路的關(guān)鍵點為MOS管，只要理解了MOS管的輸出特性，就能很好的理解以上。
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