勢壘電容是什么,勢壘電容和擴散電容-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-18
在半導體器件中，PN結有一個耗盡層，當施加反向電壓時，耗盡層會變寬，阻止電流流動。這時候可能形成一個電容，因為耗盡層兩側存儲了電荷，但無法導電，類似于電容的結構。
勢壘電容指在半導體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層的寬度有關，而耗盡層寬度又取決于外加電壓。所以勢壘電容應該是一個可變電容，其容值隨反向電壓的變化而變化。
勢壘電容和擴散電容是PN結的兩種電容效應，其區(qū)別在于物理機制和作用區(qū)域：
1. 勢壘電容（耗盡層電容）：
形成機制：外加電壓變化時，勢壘區(qū)空間電荷層寬度改變，導致載流子的"存入/取出"效應
主導區(qū)域：空間電荷區(qū)（耗盡層）
電壓關系：反向偏置時起主要作用，與反向電壓的平方根成反比
2. 擴散電容：
形成機制：外加電壓變化引起擴散區(qū)非平衡載流子濃度梯度改變，導致載流子的"堆積/消散"效應
主導區(qū)域：中性區(qū)（P區(qū)和N區(qū)的擴散區(qū)）
電壓關系：正向偏置時顯著，與正向電流呈指數(shù)關系
兩者同時存在于PN結中，但在不同偏置條件下起主導作用：反向偏置時以勢壘電容為主，正向偏置時擴散電容占優(yōu)。這種雙電容特性是半導體器件高頻特性分析的重要理論基礎。
勢壘電容和擴散電容的區(qū)別
1、擴散電容是正偏壓時少子的電容效應引起的，勢壘電容是反偏壓時空間電荷的電容效應引起的。
2、勢壘電容是p-n結所具有的一種電容，即是p-n結空間電荷區(qū)（勢壘區(qū)）的電容；由于勢壘區(qū)中存在較強的電場，其中的載流子基本上都被驅趕出去了--耗盡，則勢壘區(qū)可近似為耗盡層，故勢壘電容往往也稱為耗盡層電容。
3、勢壘電容是相應于多數(shù)載流子電荷變化的一種電容效應，因此勢壘電容不管是在低頻、還是高頻下都將起到很大的作用（與此相反，擴散電容是相應于少數(shù)載流子電荷變化的一種電容效應，故在高頻下不起作用）。實際上，半導體器件的最高工作頻率往往就決定于勢壘電容。
擴散電容，是二極管結電容的組成部分之一，在交流信號作用下才會表現(xiàn)出來，它是p-n結在正偏時所表現(xiàn)出的一種微分電容效應。擴散電容就是由多子擴散后，在pn結得另一側面積累而形成得。pn結正偏時，由n區(qū)擴散到p區(qū)得電子，與外電源提供得空穴相復合，形成正向電流。
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