60r380,11a600v,KLD60R380B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-22
KLD60R380B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進的超級結技術生產，導通電阻RDS(開啟) 0.34Ω，低柵極電荷33nC，最大限度降低導通電阻、性能優越；具有高耐用性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩定可靠；在雪崩模式和換向模式下承受高能脈沖，非常適合用于AC/DC功率轉換、逆變器、工業整流等；封裝形式：TO-252，體積小、散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：11A
柵源電壓：±30V
脈沖漏極電流：28.8A
雪崩能量：246mJ
耗散功率：87W
總柵極電荷：16nC
閾值電壓：2.5-4.5V
輸入電容：918PF
時間相關輸出電容：240PF
能量相關輸出電容：32PF
反向傳輸電容：18PF
開通延遲時間：9nS
關斷延遲時間：32nS
上升時間：15ns
下降時間：9ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
