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7N80現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下載 -KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-30 

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KIA7N80參數(shù)

功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這先進的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。


開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。器件非常適合高效率開關(guān)模式電源,有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。


KIA7N80特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的27nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


產(chǎn)品型號:KIA7N80

工作方式:7A/800V

漏源電壓:800V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):7.0A

脈沖漏極電流:28A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:167W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:800V

溫度系數(shù):1V/℃

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:1300 PF

輸出電容:120 PF

上升時間:100 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F



KIA7N80(7A/800V
產(chǎn)品編號 KIA7N80/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝

功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這先進的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。

產(chǎn)品特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的27nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關(guān)模式電源,有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲
封裝形式 TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.8090abc.com
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