4N65現(xiàn)貨供應商 KIA4N65 4A/600V PDF下載 4N65參數(shù)資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-02
這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正?；诎霕蛲負?。
KIA4N65特征
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
產品型號：KIA4N65
工作方式：4A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：3.0A
脈沖漏極電流：12A
雪崩能量：210mJ
耗散功率：58W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.65V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：560 PF
輸出電容：55 PF
上升時間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
 |
KIA4N65（4A 650V） |
| 產品編號 | KIA4N65/HF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖 |
| 產品特征 |
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dv / dt的能力 |
| 適用范圍 |
器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.8090abc.com |
| PDF總頁數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
