MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案：這三種情形即ESD一般會(huì)對(duì)電子元件造成以下三...MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案：這三種情形即ESD一般會(huì)對(duì)電子元件造成以下三種情形的影響，(1)元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命;(2)因電...
MOS管SOA分析開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)...MOS管SOA分析開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶...
保護(hù)板MOS管燒壞，鋰電池保護(hù)板測(cè)試時(shí)MOS管裂開(kāi)不會(huì)燒毀，可能是因?yàn)檫^(guò)充或是溫...保護(hù)板MOS管燒壞，鋰電池保護(hù)板測(cè)試時(shí)MOS管裂開(kāi)不會(huì)燒毀，可能是因?yàn)檫^(guò)充或是溫度過(guò)高導(dǎo)致的，需要重新焊接MOS管。鋰電池保護(hù)板測(cè)試關(guān)系著保護(hù)板的性能和電池的使...
MOS管開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號(hào)具有...MOS管開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號(hào)具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開(kāi)關(guān)電路。邏輯門電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開(kāi)關(guān)電路。 開(kāi)關(guān)電...
逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重?由于逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管管耗較大，工作時(shí)一般要求要外接面...逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重?由于逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管管耗較大，工作時(shí)一般要求要外接面積足夠大的散熱片，并且外接散熱片與場(chǎng)效應(yīng)管自身散熱片之間應(yīng)緊密接觸（一般要求涂...
MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程...MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把...
