KCD2908A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)，極低...KCD2908A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，高效低耗；具...
NPN 晶體管 2N3055 用于打開(kāi)第 I 組藍(lán)色 LED，而 PNP 晶體管 2N2905 用于打開(kāi)第...NPN 晶體管 2N3055 用于打開(kāi)第 I 組藍(lán)色 LED，而 PNP 晶體管 2N2905 用于打開(kāi)第 II 組紅色 LED。當(dāng)基極施加超過(guò) 0.7V 的正 V 且電流進(jìn)入基極時(shí)，NPN 晶體管導(dǎo)通。...
無(wú)線充電的實(shí)現(xiàn)通常需要兩個(gè)線圈，一個(gè)是置于充電平臺(tái)中的發(fā)射線圈，另一個(gè)是置...無(wú)線充電的實(shí)現(xiàn)通常需要兩個(gè)線圈，一個(gè)是置于充電平臺(tái)中的發(fā)射線圈，另一個(gè)是置于電子設(shè)備內(nèi)的接收線圈。當(dāng)一個(gè)變化的電流通過(guò)充電平臺(tái)的發(fā)射線圈時(shí)，線圈內(nèi)會(huì)產(chǎn)生...
大功率場(chǎng)效應(yīng)管KNP6140S漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)...大功率場(chǎng)效應(yīng)管KNP6140S漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)；極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導(dǎo)電...
MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設(shè)計(jì)為通用放大器和開(kāi)關(guān)，用于需要高電壓的...MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設(shè)計(jì)為通用放大器和開(kāi)關(guān)，用于需要高電壓的應(yīng)用。采用SOT-23封裝，專(zhuān)為低功耗表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
KNF45100A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.0...KNF45100A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開(kāi)關(guān)速度快，...
