120VMOS管，3112參數(shù)-產(chǎn)品特性：采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低通阻RDS(on)，...120VMOS管，3112參數(shù)-產(chǎn)品特性：采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低通阻RDS(on)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V
IGBT特性曲線解讀-通態(tài)特性，通態(tài)壓降：隨著IGBT器件技術(shù)的發(fā)展,IGBT的通態(tài)壓降...IGBT特性曲線解讀-通態(tài)特性，通態(tài)壓降：隨著IGBT器件技術(shù)的發(fā)展,IGBT的通態(tài)壓降越來越小，從而使其電流密度越來越高。但是注意，器件給出的通態(tài)飽和壓降是有一定條...
三極管MOS管單片機(jī)控制交流電通斷電路：如何用單片機(jī)控制220V交流電的通斷？首...三極管MOS管單片機(jī)控制交流電通斷電路：如何用單片機(jī)控制220V交流電的通斷？首先來說，220V交流電的負(fù)載是多大，是感性負(fù)載負(fù)載還是阻性負(fù)載，正常輸出功率是多大...
穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以...穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管起電壓調(diào)節(jié)作用...
傳輸管TG原理及組合邏輯延時：MOS，即場效應(yīng)管，四端器件，S、D、G、B四個端口...傳輸管TG原理及組合邏輯延時：MOS，即場效應(yīng)管，四端器件，S、D、G、B四個端口可以實(shí)現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性：...
MOS管開關(guān)電流電路延遲線：開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、...MOS管開關(guān)電流電路延遲線：開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能...
