MOSFET的短溝道效應(yīng):當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相...MOSFET的短溝道效應(yīng):當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些不同于長(zhǎng)溝道MOS管特性的現(xiàn)象,統(tǒng)稱(chēng)為短溝道效應(yīng)，它們歸因于在溝...
CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。...CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類(lèi)別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉(zhuǎn)阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱...
MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻...MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。MOS管的最高頻率,大家知道,MOS晶體管的溝道區(qū)隔著絕緣的氧化層,在...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理:我們知道,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有...結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器工作原理:我們知道,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道之分。因此，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器也分為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本放大器...
硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu)：在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵...硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu)：在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀(jì)60年代中期第一只MOS-IC即為p溝增強(qiáng)型A1柵器件。但隨著MOS-IC規(guī)模的...
MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小...MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無(wú)關(guān)，所以功率管的開(kāi)關(guān)速度對(duì)...
