NCE6990產(chǎn)品特點： VDS=69V,ID=88A RDS(ON)<7.2m?@VGS=10V(Typ:6.2m?) 超...NCE6990產(chǎn)品特點： VDS=69V,ID=88A RDS(ON)<7.2m?@VGS=10V(Typ:6.2m?) 超低RDSON高密度電池設(shè)計 完全特征雪崩電壓和電流 穩(wěn)定性好，均勻性好 良好的散熱包...
6110是性能最高的N溝道MOS管，具有極高的電池密度，這為大多數(shù)同步降壓變換器的...6110是性能最高的N溝道MOS管，具有極高的電池密度，這為大多數(shù)同步降壓變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的RDSON和柵極電荷。6110滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100% EAS功能完全...
NCE6080K匹配KIA產(chǎn)品3306，NCE6080K匹配KIA產(chǎn)品3306，KIA MOS管3306共有A和B兩...NCE6080K匹配KIA產(chǎn)品3306，NCE6080K匹配KIA產(chǎn)品3306，KIA MOS管3306共有A和B兩個規(guī)格書。下文會介紹3306和NCE6080K兩個MOS管具體參數(shù)、封裝與規(guī)格書等。KIA半導體...
mos引腳圖說明，三個引腳G、S、D是什么及含義：G：gate 柵極；S：source 源極；...mos引腳圖說明，三個引腳G、S、D是什么及含義：G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極；N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強...
KIA半導體MOS管 6303產(chǎn)品特點： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@...KIA半導體MOS管 6303產(chǎn)品特點： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12A RDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A 先進的溝道工藝技術(shù) 超低導通電阻的...
mos管直流特性，場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導體器件，根...mos管直流特性，場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導體器件，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)管可分為兩大類：結(jié)型場效應(yīng)管(JEFT)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)...
