本文主要介紹SOT-89封裝及三端穩(wěn)壓管型號(hào)表大全，?MOSFET芯片在制作完成之后,...本文主要介紹SOT-89封裝及三端穩(wěn)壓管型號(hào)表大全，?MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻...
深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司（H&M Semiconductor)是國(guó)內(nèi)電源管理IC和功率半導(dǎo)體...深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司（H&M Semiconductor)是國(guó)內(nèi)電源管理IC和功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)先的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事各種電源管理IC和功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和...
MOS管KNX1906B 230A/60V主要參數(shù)： 型號(hào)：KNX1906B 工作方式：230A/60V 漏源...MOS管KNX1906B 230A/60V主要參數(shù)： 型號(hào)：KNX1906B 工作方式：230A/60V 漏源電壓：60V 柵源電壓：±25V 最高結(jié)溫：175oC 脈沖漏極電流：880A 雪崩電流:40A...
Cool-MOS原理與Cool-MOS優(yōu)勢(shì)與問(wèn)題，對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛...Cool-MOS原理與Cool-MOS優(yōu)勢(shì)與問(wèn)題，對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道...
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半導(dǎo)體公司，?深圳市可易亞半導(dǎo)體...MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半導(dǎo)體公司，?深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)...
MOS管KIA2300可替代SI2300，KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠(chǎng)家...MOS管KIA2300可替代SI2300，KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠(chǎng)家。專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效...
