PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會(huì)忽略了兩者的差別。通常所說(shuō)的“多少瓦...PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會(huì)忽略了兩者的差別。通常所說(shuō)的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot額定值。 PD的含義是“Under Specified Heat Conditi...
用萬(wàn)用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請(qǐng)留意，這...用萬(wàn)用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請(qǐng)留意，這是在你能肯定VMOS完好的狀況下停止的判別，假如不曉得它的好壞，請(qǐng)先參考本節(jié)內(nèi)容的...
KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應(yīng)輕薄產(chǎn)品的需求，更為重要的是進(jìn)步性?xún)r(jià)比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應(yīng)輕薄產(chǎn)品的需求，更為重要的是進(jìn)步性?xún)r(jià)比：封裝本錢(qián)、物流（重量輕了、體積小了）、熱阻、EMI（引線(xiàn)電感減小了）均有降落的趨...
槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴(kuò)散有機(jī)分離起來(lái)，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴(kuò)散...
常用場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管...常用場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、雙柵場(chǎng)效應(yīng)管、功率場(chǎng)效應(yīng)管等。
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)柵極都可以對(duì)溝道進(jìn)行控制，目的是為了控制的便利性與獨(dú)立性，尤其是有兩個(gè)控制量的...
