OS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說只需柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)通DS,柵極串多大電阻均...OS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說只需柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)通DS,柵極串多大電阻均能導(dǎo)通。但假如請(qǐng)求開關(guān)頻率較高時(shí)，柵對(duì)地或VCC能夠看做是一個(gè)電容，關(guān)于一個(gè)電容來...
從熱力學(xué)的角度來看，物體的吸熱、放熱是相對(duì)的，但凡有溫差存在時(shí)，就必然發(fā)作...從熱力學(xué)的角度來看，物體的吸熱、放熱是相對(duì)的，但凡有溫差存在時(shí)，就必然發(fā)作熱從高溫處傳送到低溫處，這是自然界和工程技術(shù)范疇中極普遍的一種現(xiàn)象，而熱傳送的...
超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的...超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的性能和效率帶來了更多的自由。電源設(shè)計(jì)要求效率增益及更多其他要求 為了繼續(xù)...
mos管參考選型表mos管參考選型表
1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受...1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制； 3． 開關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開關(guān)霎時(shí)的耗散...
本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，30...本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)惹起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電...
